介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀價格
型 號GDAT-A
更新時間2023-08-05
廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
報價
產(chǎn)品概述
介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀裝置技術(shù)特性
平板電容器： 極片尺寸：Φ50mm/Φ38mm 可選
極片間距可調(diào)范圍：≥15mm
2. 夾具插頭間距：25mm±0.01mm
3. 夾具損耗正切值≤4×10-4 （1MHz）
4．測微桿分辨率：0.001mm
介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀特點：
| 雙掃描技術(shù) | - 測試頻率和調(diào)諧電容的雙掃描、自動調(diào)諧搜索功能。 |
| 雙測試要素輸入 | - 測試頻率及調(diào)諧電容值皆可通過數(shù)字按鍵輸入。 |
| 雙數(shù)碼化調(diào)諧 | - 數(shù)碼化頻率調(diào)諧，數(shù)碼化電容調(diào)諧。 |
| 自動化測量技術(shù) | -對測試件實施 Q 值、諧振點頻率和電容的自動測量。 |
| 全參數(shù)液晶顯示 | –數(shù)字顯示主調(diào)電容、電感、 Q 值、信號源頻率、諧振指針。 |
| DDS 數(shù)字直接合成的信號源 | -確保信源的高葆真，頻率的高精確、幅度的高穩(wěn)定。 |
| 計算機(jī)自動修正技術(shù)和測試回路*化 | —使測試回路 殘余電感減至zui低， Q 讀數(shù)值在不同頻率時要加以修正的困惑。 |
gdat高頻Q表的創(chuàng)新設(shè)計，無疑為高頻元器件的阻抗測量提供了*的解決方案，它給從事高頻電子設(shè)計的工程師、科研人員、高校實驗室和電子制造業(yè)提供了更為方便的檢測工具，測量值更為精確，測量效率更高。使用者能在儀器給出的任何頻率、任意點調(diào)諧電容值下檢測器件的品質(zhì)，無須關(guān)注量程和換算單位。
介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀主要技術(shù)特性
Q 值測量范圍 2 ～ 1023 ， 量程分檔： 30 、 100 、 300 、 1000 ，自動換檔或手動換檔
固有誤差 ≤ 5 ％ ± 滿度值的 2 ％（ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤6％ ± 滿度值的2％（10MHz～160MHz）
工作誤差 ≤7％ ± 滿度值的2％ （ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤8％ ± 滿度值的2％（10MHz～160MHz）
電感測量范圍 4.5nH ～ 140mH
電容直接測量范圍 1 ～ 200pF
主電容調(diào)節(jié)范圍 18 ～ 220pF
主電容調(diào)節(jié)準(zhǔn)確度 100pF 以下 ± 1pF ； 100pF 以上 ± 1 ％
信號源頻率覆蓋范圍 100kHz ～ 160MHz
頻率分段 （ 虛擬 ） 100 ～ 999.999kHz ， 1 ～ 9.99999MHz,10 ～ 99.9999MHz ， 100 ～ 160MHz
頻率指示誤差 3 × 10 -5 ± 1 個字
介電常數(shù)和介質(zhì)損耗測試儀工作頻率范圍是10kHz～120MHz,它能完成工作頻率內(nèi)材料的高頻介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測試。
本儀器中測試裝置是由平板電容器和測微圓筒線性電容器組成，平板電容器一般用來夾被測樣品，配用Q表作為指示儀器。
絕緣材料的損耗角正切值是通過被測樣品放入平板電容器和不放樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)通過公式計算得到。
同樣，由測微圓筒線性電容器的電容量讀數(shù)變化，通過公式計算得到介電常數(shù)。
介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀創(chuàng)新：
◎ 本公司創(chuàng)新的自動Q值保持技術(shù)，使測Q分辨率至0.1Q，使tanδ分辨率至0.00005 。
◎ 能對固體絕緣材料在10kHz～120MHz介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測試。
◎ 調(diào)諧回路殘余電感值低至8nH，保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。
◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù)：Q值，測試頻率，調(diào)諧狀態(tài)等。
◎ Q值量程自動/手動量程控制。
◎ DPLL合成發(fā)生1kHz～60MHz, 50kHz～160MHz測試信號。獨(dú)立信號 源輸出口，所以本機(jī)又是一臺合成信號源。
◎ 測試裝置符合國標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。
