介電常數(shù)測(cè)試儀(高頻)
產(chǎn)品概述
BH916測(cè)試裝置 | GDAT高頻Q表 | ||
平板電容極片 | Φ50mm/Φ38mm可選 | 頻率范圍 | 20KHz-60MHz/200KHz-160MHz |
間距可調(diào)范圍 | ≥15mm | 頻率指示誤差 | 3×10-5±1個(gè)字 |
夾具插頭間距 | 25mm±0.01mm | 主電容調(diào)節(jié)范圍 | 30-500/18-220pF |
測(cè)微桿分辨率 | 0.001mm | 主調(diào)電容誤差 | <1%或1pF |
夾具損耗角正切值 | ≦4×10-4 (1MHz) | Q測(cè)試范圍 | 2~1023 |
介電常數(shù)測(cè)試儀(高頻)由一個(gè)LCD數(shù)字顯示的微測(cè)量裝置和一對(duì)經(jīng)精密加工的、間距可調(diào)的平板電容器極片組成。平板電容器極片用于夾持被測(cè)材料樣品,微測(cè)量裝置則顯示被測(cè)材料樣品的厚度。通過被測(cè)材料樣品放進(jìn)平板電容器和不放進(jìn)樣品時(shí)的Q值變化的量化,測(cè)得絕緣材料的損耗角正切值。從平板電容器平板間距的讀值變化則可換算得到絕緣材料介電常數(shù)。BH916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置是本公司研制的更新?lián)Q代產(chǎn)品,精密的加工設(shè)計(jì)、精確的LCD數(shù)字讀出、一鍵式清零功能,克服了機(jī)械刻度讀數(shù)誤差和圓筒形電容裝置不可避免的測(cè)量誤差。
介電常數(shù)測(cè)試儀(高頻)以DDS數(shù)字直接合成方式產(chǎn)生信號(hào)源,頻率達(dá)60MHz/160MHz,信號(hào)源具有信號(hào)失真小、頻率精確、信號(hào)幅度穩(wěn)定的優(yōu)點(diǎn),更保證了測(cè)量精度的精確性。A主電容調(diào)節(jié)用傳感器感應(yīng),電容讀數(shù)精確,且頻率值可設(shè)置。
工作特性
1.Q值測(cè)量
a.Q值測(cè)量范圍:2~1023;
b.Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔;
c.標(biāo)稱誤差
| A | C |
頻率范圍 | 25kHz~10MHz | 100kHz~10MHz |
固有誤差 | ≤5%±滿度值的2% | ≤5%±滿度值的2% |
工作誤差 | ≤7%±滿度值的2% | ≤7%±滿度值的2% |
頻率范圍 | 10MHz~60MHz | 10MHz~160MHz |
固有誤差 | ≤6%±滿度值的2% | ≤6%±滿度值的2% |
工作誤差 | ≤8%±滿度值的2% | ≤8%±滿度值的2% |
測(cè)試注意事項(xiàng)
a.本儀器應(yīng)水平安放;
b.如果你需要較精確地測(cè)量,請(qǐng)接通電源后,預(yù)熱30分鐘;
c.調(diào)節(jié)主調(diào)電容或主調(diào)電容數(shù)碼開關(guān)時(shí),當(dāng)接近諧振點(diǎn)時(shí)請(qǐng)緩調(diào);
d.被測(cè)件和測(cè)試電路接線柱間的接線應(yīng)盡量短,足夠粗,并應(yīng)接觸良好、可靠,以減少因接線的電阻和分布參數(shù)所帶來的測(cè)量誤差;
e.被測(cè)件不要直接擱在面板頂部,離頂部一公分以上,必要時(shí)可用低損耗的絕緣材料如聚苯乙烯等做成的襯墊物襯墊;
f.手不得靠近試件,以免人體感應(yīng)影響造成測(cè)量誤差,有屏蔽的試件,屏蔽罩應(yīng)連接在低電位端的接線柱。
2.高頻線圈的Q值測(cè)量(基本測(cè)量法)
特點(diǎn):
◎ 本公司創(chuàng)新的自動(dòng)Q值保持技術(shù),使測(cè)Q分辨率至0.1Q,使tanδ分辨率至0.00005 。
◎ 能對(duì)固體絕緣材料在10kHz~120MHz介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。
◎ 調(diào)諧回路殘余電感值低至8nH,保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。
◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù):Q值,測(cè)試頻率,調(diào)諧狀態(tài)等。
◎ Q值量程自動(dòng)/手動(dòng)量程控制。
◎ DPLL合成發(fā)生1kHz~60MHz, 50kHz~160MHz測(cè)試信號(hào)。獨(dú)立信號(hào) 源輸出口,所以本機(jī)又是一臺(tái)合成信號(hào)源。
◎ 測(cè)試裝置符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。
主要技術(shù)指標(biāo):
2.1 tanδ和ε性能:
2.1.1 固體絕緣材料測(cè)試頻率10kHz~120MHz的tanδ和ε變化的測(cè)試。
2.1.2 tanδ和ε測(cè)量范圍:
tanδ:0.1~0.00005,ε:1~50
2.1.3 tanδ和ε測(cè)量精度(1MHz):
tanδ:±5%±0.00005,ε:±2%
工作頻率范圍:50kHz~50MHz 四位數(shù)顯,壓控振蕩器
Q值測(cè)量范圍:1~1000三位數(shù)顯,±1Q分辨率
可調(diào)電容范圍:40~500 pF ΔC±3pF
電容測(cè)量誤差:±1%±1pF
Q表殘余電感值:約20nH
- 上一個(gè): BDJC-50KV絕緣強(qiáng)度電壓擊穿試驗(yàn)儀
- 下一個(gè): BDJC-100KV電氣強(qiáng)度電壓擊穿測(cè)試儀