絕緣高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀
產(chǎn)品概述
絕緣高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀裝置:
2.3.1 平板電容器極片尺寸::Φ38mm和Φ50mm二種.
2.3.2 平板電容器間距可調(diào)范圍和分辨率:0~8mm, ±0.01mm
2.3.3 圓筒電容器線性: 0.33 pF /mm±0.05 pF,
2.3.4 圓筒電容器可調(diào)范圍:±12.5mm(±4.2pF)
2.3.5 裝置插頭間距:25mm±0.1mm
2.3.6 裝置損耗角正切值:≤2.5×10-4
絕緣高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀主要技術(shù)指標(biāo):
2.1 tanδ和ε性能:
2.1.1 固體絕緣材料測(cè)試頻率10kHz~120MHz的tanδ和ε變化的測(cè)試。
2.1.2 tanδ和ε測(cè)量范圍:
tanδ:0.1~0.00005,ε:1~50
2.1.3 tanδ和ε測(cè)量精度(1MHz):
tanδ:±5%±0.00005,ε:±2%
工作頻率范圍:50kHz~50MHz 四位數(shù)顯,壓控振蕩器
Q值測(cè)量范圍:1~1000三位數(shù)顯,±1Q分辨率
可調(diào)電容范圍:40~500 pF ΔC±3pF
電容測(cè)量誤差:±1%±1pF
Q表殘余電感值:約20nH
特點(diǎn):
◎ 本公司創(chuàng)新的自動(dòng)Q值保持技術(shù),使測(cè)Q分辨率至0.1Q,使tanδ分辨率至0.00005 。
◎ 能對(duì)固體絕緣材料在10kHz~120MHz介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。
◎ 調(diào)諧回路殘余電感值低至8nH,保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。
◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù):Q值,測(cè)試頻率,調(diào)諧狀態(tài)等。
◎ Q值量程自動(dòng)/手動(dòng)量程控制。
◎ DPLL合成發(fā)生1kHz~60MHz, 50kHz~160MHz測(cè)試信號(hào)。獨(dú)立信號(hào) 源輸出口,所以本機(jī)又是一臺(tái)合成信號(hào)源。
◎ 測(cè)試裝置符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。
直接測(cè)量范圍 | 1~460p |
主電容調(diào)節(jié)范圍 | 40~500pF |
準(zhǔn)確度 | 150pF以下±1.5pF; 150pF以上±1% |
頻率范圍 | 25kHz~10MHz |
固有誤差 | ≤5%±滿度值的2% |
工作誤差 | ≤7%±滿度值的2% |
頻率范圍 | 10MHz~60MHz |
固有誤差 | ≤6%±滿度值的2% |
工作誤差 | ≤8%±滿度值的2% |
工作特性
1.Q值測(cè)量
a.Q值測(cè)量范圍:2~1023;
b.Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔;
- 上一個(gè): BEST-121絕緣體積表面電阻率測(cè)試儀
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